सिम कार्ड कनेक्टरहरू र माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टरहरू र नानो सिम कार्ड कनेक्टरहरू

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ६ पिन H१.४२ मिमी KLS१-SIM-१०५

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ६ पिन H१.४२ मिमी सामग्री: इन्सुलेटर: उच्च तापक्रम थर्मोप्लास्टिक, UL ९४V-० सम्पर्क: तामाको मिश्र धातु, प्लेटेड ५०u” Ni Ooverall सम्पर्क Au १U शेल: SUS, प्लेटेड ५०u” Ni Ooverall, प्लेटेड १u” Au चयनात्मक सम्पर्क क्षेत्र विद्युतीय विशेषताहरू: हालको मूल्याङ्कन: ०.५mA AC/DC अधिकतम। भोल्टेज मूल्याङ्कन: १२५V AC/DC परिवेश तापमान दायरा:-२०°C~+६०°C भण्डारण तापमान दायरा:-४०°C~+७०°C परिवेश आर्द्रता दायरा: ९५% RH अधिकतम सम्पर्क अवरोध...

माइक्रो सिम कार्ड CONN, 6P, H1.45mm, SMD KLS1-SIM-046

उत्पादन तस्बिरहरू उत्पादन जानकारी सामग्री: आवास: LCP, UL94V-0 सम्पर्क: C5210, सम्पर्क क्षेत्रमा सुनको फ्ल्यास प्लेट गरिएको; सोल्डर पुच्छरमा सुनको फ्ल्यास प्लेटिंग; एन्ट्री सम्पर्क अन्डरप्लेटेड निकल शेल सहित: SUS304, निकेल अन्डरप्लेटेड सबै माथि, सोल्डर पुच्छरमा सुनको फ्ल्यास प्लेट गरिएको विद्युतीय विशिष्टताहरू: हालको मूल्याङ्कन: 0.5A भोल्टेज मूल्याङ्कन: 5V सम्पर्क प्रतिरोध: 50mΩ अधिकतम। इन्सुलेशन प्रतिरोध: 1000MΩ न्यूनतम टिकाउपन: 3000 चक्र न्यूनतम

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ८ पिन H१.५ मिमी, हिङ्ग्ड प्रकार KLS1-SIM-089

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ८ पिन H१.५ मिमी, हिङ्ग्ड प्रकारको सामग्री आवास: थर्मोप्लास्टिक, UL९४V-०। टर्मिनल: फस्फर कांस्य, T=०.१५, Ni प्लेटेड अन्डर, Au प्लेटेड अन कन्ट्याक्ट एरिया, G/F प्लेटेड अन सोल्डरटेल। शेल: स्टेनलेस स्टील, T=०.१५, Ni प्लेटेड अन्डर, G/F प्लेटेड अन सोल्डरटेल। विद्युतीय सम्पर्क प्रतिरोध: ६०mΩ अधिकतम। इन्सुलेशन प्रतिरोध: १०००MΩ न्यूनतम। डाइइलेक्ट्रिक विदस्टेन्डिङ भोल्टेज: १ मिनेटको लागि ५००V AC। स्थायित्व: ५००० चक्र। सञ्चालन तापमान: -४५ºC~+८५ºC

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ६ पिन H१.८ मिमी, हिङ्ग्ड प्रकार KLS1-SIM-072

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ६ पिन H१.८ मिमी, हिङ्ग्ड प्रकार सामग्री: आवास: LCP, UL९४V-०, कालो। टर्मिनल: तामा मिश्र धातु। खोल: स्टेनलेस स्टील। विद्युतीय: हालको मूल्याङ्कन: १A अधिकतम। भोल्टेज मूल्याङ्कन: ३०V DC अधिकतम। सम्पर्क प्रतिरोध: ३०mΩ अधिकतम। इन्सुलेशन प्रतिरोध: १०००MΩ न्यूनतम। डाइइलेक्ट्रिक भोल्टेज: ५००V rms/मिनेट। स्थायित्व: ५००० चक्र। सञ्चालन तापमान: -४५ºC~+८५ºC

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ६ पिन H१.५ मिमी, ट्रे प्रकार KLS1-SIM-075

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ६ पिन H१.५ मिमी, ट्रे प्रकार सामग्री: इन्सुलेटर: उच्च-तापमान प्लास्टिक, UL९४V-०, कालो। टर्मिनल: तामाको मिश्र धातु। सबै टर्मिनलमा सुनको फ्ल्यास प्लेटिङ, सबैमा ५०u” न्यूनतम निकल अन्डरप्लेटेड। शेल: ५०u” निकल अलओभरमा अन्डरप्लेटेड, सोल्डर प्याडमा सुनको फ्ल्यास। विद्युतीय: हालको मूल्याङ्कन: ०.५A भोल्टेज मूल्याङ्कन भोल्टेज: ५.० vrms इन्सुलेशन प्रतिरोध: १०००MΩ न्यूनतम/५००V DC भोल्टेज सहनशीलता: १ मिनेटको लागि २५०V ACrms सम्पर्क प्रतिरोध...

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ६P, पुश पुल, H१.५mm KLS1-SIM-099

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ६P, पुश पुल, H१.५ मिमी सामग्री आवास: थर्मोप्लास्टिक, UL९४V-०। टर्मिनल: तामाको मिश्र धातु, सम्पर्क क्षेत्र र सोल्डर पुच्छरहरूमा सुनको प्लेट गरिएको, समग्रमा निकेल प्लेट गरिएको। शेल: स्टेनलेस स्टील। समग्रमा निकेल प्लेट गरिएको। सोल्डर पुच्छरहरूमा सुनको प्लेट गरिएको। विद्युतीय: हालको मूल्याङ्कन: १.० A अधिकतम। सम्पर्क प्रतिरोध: ३०mΩ अधिकतम। डाइइलेक्ट्रिक सहनशील भोल्टेज: ५००V AC इन्सुलेशन प्रतिरोध: १०००MΩ न्यूनतम/५००V DC सञ्चालन तापमान: -४५ºC~+८५ºC

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ८P, पुश पुल, H१.५mm KLS1-SIM-091

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ८P, पुश पुल, H१.५ मिमी विद्युतीय: मूल्याङ्कन गरिएको वर्तमान: १.०A मूल्याङ्कन गरिएको भोल्टेज: ३०V सम्पर्क प्रतिरोध: ५०mΩ अधिकतम इन्सुलेशन प्रतिरोध: १०००MΩ न्यूनतम/५००V DC भोल्टेज सहनशील डाइलेक्ट्रिक: ५००V AC सोल्डर क्षमता: २५०oC~%%P५oC, १०%%P०.५s स्थायित्व: ५००० चक्र न्यूनतम सम्पर्क प्रतिरोध: ५०mΩ अधिकतम सञ्चालन तापमान: -४५ºC~+८५ºC

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ६P

उत्पादन तस्बिरहरू

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ६P

उत्पादन तस्बिरहरू

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ८P

उत्पादन तस्बिरहरू

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ८P

उत्पादन तस्बिरहरू

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ८P

उत्पादन तस्बिरहरू

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर, ६P

उत्पादन तस्बिरहरू

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर; पुश पुश, ६P+१P वा ८P+१P, H१.५०mm KLS1-SIM-090

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर; पुश पुश, ६P+१P वा ८P+१P, H१.५०mm विद्युतीय वर्तमान मूल्याङ्कन: ०.५A भोल्टेज मूल्याङ्कन: ५.० vrms सम्पर्क प्रतिरोध: १००mΩ अधिकतम इन्सुलेशन प्रतिरोध: १०००M न्यूनतम। भोल्टेज सहन: २५०V १ मिनेटको लागि ACrms। सञ्चालन तापमान दायरा: -४५℃-+१०५℃ सामग्री: इन्सुलेटर: उच्च-तापमान प्लास्टिक, UL९४V-०, कालो टर्मिनल: तामाको मिश्र धातु, सबै टर्मिनलमा सुनको फ्ल्यास प्लेटिङ, र सबैमा ५०u” न्यूनतम निकल अन्डरप्लेट गरिएको। खोल: स्टेनलेस स्टील, ५०u&...

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर; पुश पुश, ६P वा ६P+१P, H१.३५mm KLS1-SIM-069

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर; पुश पुश, ६P वा ६P+१P, H१.३५mm, पोस्ट बिना। सामग्री: इन्सुलेटर: उच्च तापक्रम थर्मोप्लास्टिक, UL94V-0 सम्पर्क: तामाको मिश्र धातु, प्लेटेड ५०U” Ni समग्र सम्पर्क Au १U शेल: SUS, प्लेटेड ५०U” Ni समग्र प्लेटेड १u” Au चयनात्मक सम्पर्क क्षेत्र विद्युत: हालको मूल्याङ्कन: ०.५A अधिकतम। भोल्टेज मूल्याङ्कन: ५V AC/DC सम्पर्क प्रतिरोध: १०० मिटर अधिकतम। इन्सुलेशन प्रतिरोध: १०००M न्यूनतम/५००VDC परिवेश आर्द्रता दायरा: ९५% RH अधिकतम। द्रव्यमान...

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर ८P, पुश पुल, H२.४mm KLS1-SIM-044-8P

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर 8P, पुश पुल, H2.4mm सामग्री: आधार: उच्च-तापमान थर्मोप्लास्टिक, UL94V-0.कालो। डेटा सम्पर्क: तामा मिश्र धातु, सुनको प्लेट गरिएको। खोल: स्टेनलेस स्टील, सुनको प्लेट गरिएको। विद्युतीय: सम्पर्क प्रतिरोध: 50mΩ विशिष्ट, 100Ω अधिकतम। इन्सुलेशन प्रतिरोध:> 1000MΩ/500V DC। 3. सोल्डेरेबिलिटी वाष्प चरण: 215ºC.30sec। अधिकतम। IR feflow: 250ºC.5sec। अधिकतम। म्यानुअल सोल्डरिंग: 370ºC.3sec। अधिकतम। सञ्चालन तापमान: -45ºC~+105ºC

माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर ६P, पुश पुल, H२.४mm KLS1-SIM-044-6P

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी माइक्रो सिम कार्ड कनेक्टर 6P, पुश पुल, H2.4mm सामग्री: आधार: उच्च-तापमान थर्मोप्लास्टिक, UL94V-0.कालो। डेटा सम्पर्क: तामा मिश्र धातु, सुनको प्लेट गरिएको। शेल: स्टेनलेस स्टील, सुनको प्लेट गरिएको। विद्युतीय: सम्पर्क प्रतिरोध: 50mΩ विशिष्ट, 100Ω अधिकतम। इन्सुलेशन प्रतिरोध:> 1000MΩ/500V DC। 3. सोल्डेरेबिलिटी वाष्प चरण: 215ºC.30sec। अधिकतम। IR feflow: 250ºC.5sec। अधिकतम। म्यानुअल सोल्डरिंग: 370ºC.3sec। अधिकतम। सञ्चालन तापमान: -45ºC~+105ºC

सिम कार्ड कनेक्टर; पुश पुश, ६P+२P, H१.८०mm, पोष्ट सहित वा पोष्ट बिना। KLS1-SIM-110

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी सिम कार्ड कनेक्टर; पुश पुश, ६P+२P, H१.८०mm पोस्ट सहित वा पोस्ट बिना। सामग्री: आवास सामग्री: LCP UL94V-0 सम्पर्क सामग्री: टिन-कांस्य प्याकेज: टेप र रिल प्याकेज विद्युतीय विशेषताहरू: भोल्टेज मूल्याङ्कन: १००V AC हालको मूल्याङ्कन: ०.५A अधिकतम भोल्टेज सहन: २५०V AC/१ मिनेट इन्सुलेशन प्रतिरोध: ≥१०००ΜΩ सम्पर्क प्रतिरोध: ≤३०mΩ जीवन: >५००० चक्र सञ्चालन तापमान: -४५ºC~+८५ºC

सिम कार्ड कनेक्टर, पुश पुश, ८P+१P, H१.९mm, पोस्ट KLS1-SIM-108 सहित

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी सिम कार्ड कनेक्टर, पुश पुश, ८P+१P, H१.९mm, पोस्ट सामग्री सहित: आवास: हाई-टेम्प प्लास्टिक, UL94V-0. रेटेड। सम्पर्क: तामा मिश्र धातु। शेल: तामा मिश्र धातु। प्लेटिङ: सम्पर्क क्षेत्र: सुनको फ्ल्यास। सोल्डर क्षेत्र: ८०u” न्यूनतम, म्याट टिन मिश्र धातु प्लेट गरिएको। प्लेट मुनि: ३०u” न्यूनतम, निकेल। शेल: ३०u” न्यूनतम, निकेल प्लेट गरिएको समग्र सोल्डर क्षेत्र: गोला फ्ल्यास। विद्युतीय: हालको मूल्याङ्कन: ०.५A। भोल्टेज सहन: AC५००V rms इन्सुलेशन प्रतिरोध: १०००MΩ न्यूनतम, DC ५००V मा सम्पर्क R...

सिम कार्ड कनेक्टर, पुश पुश, ६P+१P, H१.९mm, पोस्ट KLS1-SIM-107 सहित

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी सिम कार्ड कनेक्टर, पुश पुश, ६P+१P, H१.९mm, पोस्ट सामग्री सहित: आवास: उच्च-तापमान प्लास्टिक, UL९४V-०.मूल्याङ्कन गरिएको। सम्पर्क: तामा मिश्र धातु। शेल: तामा मिश्र धातु/स्टील। प्लेटिङ: सम्पर्क क्षेत्र: सुनको फ्ल्यास। सोल्डर क्षेत्र: ८०u” न्यूनतम, म्याट टिन मिश्र धातु प्लेट गरिएको। प्लेट मुनि: ३०u” न्यूनतम, निकेल। शेल: ३०u” न्यूनतम, निकेल प्लेट गरिएको समग्र सोल्डर क्षेत्र: गोला फ्ल्यास। विद्युतीय: हालको मूल्याङ्कन: ०.५A। भोल्टेज सहन: AC५००V rms इन्सुलेशन प्रतिरोध: १०००MΩ न्यूनतम, DC ५००V मा निरन्तर...

सिम कार्ड कनेक्टर; पुश पुश, ६पी, एच१.८५ मिमी KLS१-सिम-१०६

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी सिम कार्ड कनेक्टर, पुश पुश, ६P, H१.८५mm, पोस्ट हाउसिंग सहित: हाई-टेम्प प्लास्टिक, UL९४V-०. रेटेड। सम्पर्क: तामाको मिश्र धातु। खोल: SUS। समाप्त: सम्पर्क क्षेत्रमा सुनको प्लेट गरिएको, सोल्डर टेलहरूमा टिन प्लेट गरिएको।

सिम कार्ड कनेक्टर, पुश पुश, ६P, H१.८५mm, पोस्ट बिना KLS1-SIM-087

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी सिम कार्ड कनेक्टर, पुश पुश, ६P, H१.८५mm, पोस्ट बिना सामग्री: इन्सुलेटर: H-तापमान प्लास्टिक, UL९४V-०.कालो। सम्पर्क: तामाको मिश्र धातु, T=०.१५mm खोल: स्टेनलेस स्टील, T=०.१५mm फिनिश: टर्मिनल: ५०u” न्यूनतम निकल अण्डरप्लेटेड अलओभर, कन्ट्याक्ट एरेरमा सुनको प्लेटिङ, सोल्डर टेलमा ८०u” न्यूनतम टिन। खोल: ५०u” निकल अण्डरप्लेटेड अलओभर, सोल्डर ल्याचमा सुनको फ्ल्यास। विद्युतीय: हालको मूल्याङ्कन: ०.५A। भोल्टेज मूल्याङ्कन: ५.० Vrms। इन्सुलेशन प्रतिरोध: ५००...

सिम कार्ड कनेक्टर, पुश पुश, ६P+२P, H१.८५mm, पोस्ट बिना KLS1-SIM-086

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी सिम कार्ड कनेक्टर, पुश पुश, ६P+२P, H१.८५mm, पोस्ट बिना सामग्री: इन्सुलेटर: H-तापमान प्लास्टिक, UL९४V-०.कालो। सम्पर्क: तामाको मिश्र धातु, T=०.१५mm खोल: स्टेनलेस स्टील, T=०.१५mm फिनिश: टर्मिनल: ५०u” न्यूनतम निकल अण्डरप्लेटेड अलओभर, कन्ट्याक्ट एरेरमा सुनको प्लेटिङ, सोल्डर टेलमा ८०u” न्यूनतम टिन। खोल: ५०u” निकल अण्डरप्लेटेड अलओभर, सोल्डर ल्याचमा सुनको फ्ल्यास। विद्युतीय: हालको मूल्याङ्कन: ०.५A। भोल्टेज मूल्याङ्कन: ५.० Vrms। इन्सुलेशन प्रतिरोध:...

सिम कार्ड कनेक्टर, पुश पुश, ८P+२P, H१.८५mm, पोस्ट बिना KLS1-SIM-085A

उत्पादन छविहरू उत्पादन जानकारी सिम कार्ड कनेक्टर, पुश पुश, ८P+२P, H१.८५mm, पोस्ट बिना सामग्री: इन्सुलेटर: H-तापमान प्लास्टिक, UL९४V-०.कालो। सम्पर्क: तामाको मिश्र धातु, T=०.१५mm खोल: स्टेनलेस स्टील, T=०.१५mm फिनिश: टर्मिनल: ५०u” न्यूनतम निकल अण्डरप्लेटेड अलओभर, कन्ट्याक्ट एरेरमा सुनको प्लेटिङ, सोल्डर टेलमा ८०u” न्यूनतम टिन। खोल: ५०u” निकल अण्डरप्लेटेड अलओभर, सोल्डर ल्याचमा सुनको फ्ल्यास। विद्युतीय: हालको मूल्याङ्कन: ०.५A। भोल्टेज मूल्याङ्कन: ५.० Vrms। इन्सुलेशन प्रतिरोध...